2026년 MLC 낸드 플래시 메모리 생산 능력 41% 감소 전망
전문가 해설
전 세계가 AI 인프라 생산 능력을 놓고 경쟁하는 상황에서, 메모리 반도체 시장은 특히 MLC(다층 단위) 낸드 플래시 메모리 가격이 최근 300% 급등하여 공급 부족을 초래하고 있습니다. 삼성, 카이샤, 마이크론 등 국제 대기업들이 잇따라 MLC 시장에서 철수하면서 이 제품이 점차 생산을 중단하게 되었습니다. 카이샤는 소용량 TSOP 패키징 제품과 전통적인 플로팅 그리드 방식의 2D NAND를 포함한 일부 구공정 제품의 생산을 중단한다고 발표했으며, 이는 해당 시장에서 철수할 가능성을 의미합니다. 연구 기관 TrendForce의 집단 컨설팅 조사에 따르면, SK하이닉스와 마이크론은 MLC 생산량을 기존 고객의 요구를 충족하는 수준으로 제한하고 있어 생산 확대 동력이 부족하며, 2026년 전 세계 MLC 낸드 플래시 메모리 생산 능력이 전년 대비 41.7% 감소할 것으로 예상됩니다.
저장 업계 종사자들은 기술 혁신과 이익 목표에 따라 상류 공장에서 낙후된 공정 제품을 도태시키는 것이 정상적인 행동이라고 말합니다. 동시에, 우수한 생산 능력이 기업급 등 고부가가치 분야에 집중되는 것이 일반적인 추세가 되었습니다. 생산 능력이 매우 제한된 상황에서 MLC NAND 가격이 크게 상승하여 소비용 MLCeMMC의 원래 공급이 거의 중단되었습니다. 삼성의 차량용 MLC도 내년 1분기에 공급이 중단될 예정이며, 현물 시장에서 MLCeMMC의 가격 상승폭은 심각합니다. 8GB eMMC는 최고 110달러의 극단적인 가격을 보일 것입니다.
Counterpoint Research의 수석 분석가인 Jeongku Choi는 월간 저장 추적 데이터에 따르면, MLC NAND 가격이 전년 동기 대비 약 300% 상승하여 2025년 1분기 약 3.2달러에서 2026년 2분기 약 12.9달러로 상승할 것으로 예상된다고 지적했습니다. 가격 상승은 주로 MLC 제품의 지속적인 상장폐지로 인한 수요와 공급의 불균형에 의해 촉진되었으며, 현재 MLC 낸드 가격의 급격한 상승의 핵심 원인은 상장폐지 속도가 눈에 띄게 빨라졌기 때문입니다. AI 수요의 빠른 증가는 공급 긴장을 더욱 심화시켰습니다.
저장 업계 종사자들은 기술 혁신과 이익 목표에 따라 상류 공장에서 낙후된 공정 제품을 도태시키는 것이 정상적인 행동이라고 말합니다. 동시에, 우수한 생산 능력이 기업급 등 고부가가치 분야에 집중되는 것이 일반적인 추세가 되었습니다. 생산 능력이 매우 제한된 상황에서 MLC NAND 가격이 크게 상승하여 소비용 MLCeMMC의 원래 공급이 거의 중단되었습니다. 삼성의 차량용 MLC도 내년 1분기에 공급이 중단될 예정이며, 현물 시장에서 MLCeMMC의 가격 상승폭은 심각합니다. 8GB eMMC는 최고 110달러의 극단적인 가격을 보일 것입니다.
Counterpoint Research의 수석 분석가인 Jeongku Choi는 월간 저장 추적 데이터에 따르면, MLC NAND 가격이 전년 동기 대비 약 300% 상승하여 2025년 1분기 약 3.2달러에서 2026년 2분기 약 12.9달러로 상승할 것으로 예상된다고 지적했습니다. 가격 상승은 주로 MLC 제품의 지속적인 상장폐지로 인한 수요와 공급의 불균형에 의해 촉진되었으며, 현재 MLC 낸드 가격의 급격한 상승의 핵심 원인은 상장폐지 속도가 눈에 띄게 빨라졌기 때문입니다. AI 수요의 빠른 증가는 공급 긴장을 더욱 심화시켰습니다.
💡 MLC(NAND 플래시 메모리의 일종)는 다층 셀 낸드 플래시 메모리를 말합니다. 최근 공급 부족으로 가격이 세 배로 급등하면서 주요 제조업체인 삼성, 카이저, 마이크론 등이 점차 시장에서 철수하고 있으며, 2026년에는 전 세계 MLC 낸드 플래시 메모리 생산 능력이 크게 감소할 것으로 예상됩니다.
21世纪经济报道记者 骆轶琪
在全球争夺AI基础设施产能背景下，越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情，产能转移造成的供需缺口正在持续放大。
在三星、铠侠、美光等国际大厂集体退出MLC（Multi-Level Cell，多层单元）NAND闪存市场的背景下，这一曾经不起眼的“老兵”，产品价格近期暴涨300%。由此造成的供应缺口，正对汽车电子、工业控制、医疗设备等产业造成潜在影响。
NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容，MLC正如其名，一般采用二维平面堆叠方式，也就是2D NAND。目前行业主流已经迭代到TLC（Triple-Level Cell，三层单元）和QLC（Quad-Level Cell，四层单元）阶段，也就是进入3D NAND维度。
因此不难发现，上游存储供应商决定将MLC逐渐停产，有基于产品自身迭代的因素考量，也有将更多产能留给更高利润空间的考虑。随着海外大厂陆续停产，也为国内产业链厂商带来一定发展机会。
涨价传导，供应断层
上游存储原厂在整体产能有限条件下，正退出一些薄利市场，MLC NAND就在此之列。
近期，Kioxia（铠侠）宣布停产部分旧制程产品，其中小容量TSOP封装产品、部分传统浮栅式（Floating Gate）2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场。
TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器，有观点认为，此次铠侠宣布停产，意味着其或将退出该市场。
对此，铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道，
这是基于新旧技术更替的考虑，也是行业普遍现象。
（2021-2026年MLC NAND产能成长表现测算，图源：集邦咨询统计）
不止铠侠，此前三星、SK海力士和美光，也陆续宣布，MLC相关产品进入生命周期终结阶段，相关产线不再扩产。
据研究机构TrendForce集邦咨询调查，SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平，缺乏扩产动力。因此，
2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%，进一步加剧供需失衡。
一名存储行业从业者也对21世纪经济报道记者分析，产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下，根据生命周期管理需要，对落后制程产品做淘汰，是行业性正常的产品开发行为。同时，将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势。
在产能极为有限的背景下，MLC NAND这类“高龄”产品的价格反而开始大幅上扬。
CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者，消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止，三星车规级MLC明年一季度停止供应，使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈，8GB eMMC最高出现110美金的极端价格。
Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出，根据其月度存储追踪数据（Monthly Memory Tracker）显示，
MLC NAND价格同比上涨约300%。
以16Gb MLC NAND为例，价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元。
“这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市（EOL）所引发的供需失衡推动。”Jeongku Choi进一步指出，
当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快。
“从过去情况来看，EOL通常会在数年时间内逐步完成，但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成。同时，AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜，进一步加剧了MLC供应紧张。”
MLC NAND的终端需求主要来自工控、车用电子、医疗设备和网通等领域，这些应用对产品可靠度、写入寿命、长期供货承诺要求极为严格。其中，汽车行业首当其冲。
杨伊婷对21世纪经济报道记者指出，车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX、仪表、HUD、中低端座舱等领域。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低，基本不需要用到大容量UFS，够用即可。而车规级芯片和模块验证周期很长，且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年，汽车以年为单位与原厂谈年价和供应，对AI存储供需的及时变化并不敏感，此前一度低估了存储供应短缺的严重程度，以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心，
使得汽车在存储涨价缺货中受到的冲击最为明显。
”
国产补位，商用转移
面对MLC供应断层，部分具备承接能力的厂商已开始行动。
TrendForce集邦咨询表示，因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层，
长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏
，相对具备承接这项利基型需求的优势。旺宏已减少原有NOR Flash产能，以扩大MLC NAND Flash供应。
Jeongku Choi则对记者指出，当前2D NAND供给缺口较难完全填补。“国内厂商中，
长江存储（YMTC）具备相对最大的可用产能
，但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求，以抓住AI带来的结构性机会，
因此可用于缓解MLC短缺的空间有限。
”
当然按照常规，终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品，因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势。
杨伊婷对记者表示，除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外，国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口，同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用。
“
下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移
。”Jeongku Choi对记者指出，与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同，MLC NAND在性能上已被SLC超越，在成本效率上又被TLC和QLC取代，其竞争优势正在被双向压缩。
“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本，而随着上游MLC供应持续收紧，这一替代趋势预计将进一步加速。”但他也提到，由此带来的BOM成本上升，将压缩下游厂商利润，其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显。
集邦咨询也提到，长期来看，MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转，MLC产品价格仍可能间接承压。
从“大宗商品”到“利基奢侈品”，MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下，毅然将产能向HBM、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜，而曾经支撑汽车、工控、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品，则因单位产值低而被加速淘汰。
这一趋势短期内难以逆转，下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构。
对于国内存储厂商而言，能否在海外巨头退出的间隙中，以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任，并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口，将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。
在全球争夺AI基础设施产能背景下，越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情，产能转移造成的供需缺口正在持续放大。
在三星、铠侠、美光等国际大厂集体退出MLC（Multi-Level Cell，多层单元）NAND闪存市场的背景下，这一曾经不起眼的“老兵”，产品价格近期暴涨300%。由此造成的供应缺口，正对汽车电子、工业控制、医疗设备等产业造成潜在影响。
NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容，MLC正如其名，一般采用二维平面堆叠方式，也就是2D NAND。目前行业主流已经迭代到TLC（Triple-Level Cell，三层单元）和QLC（Quad-Level Cell，四层单元）阶段，也就是进入3D NAND维度。
因此不难发现，上游存储供应商决定将MLC逐渐停产，有基于产品自身迭代的因素考量，也有将更多产能留给更高利润空间的考虑。随着海外大厂陆续停产，也为国内产业链厂商带来一定发展机会。
涨价传导，供应断层
上游存储原厂在整体产能有限条件下，正退出一些薄利市场，MLC NAND就在此之列。
近期，Kioxia（铠侠）宣布停产部分旧制程产品，其中小容量TSOP封装产品、部分传统浮栅式（Floating Gate）2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场。
TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器，有观点认为，此次铠侠宣布停产，意味着其或将退出该市场。
对此，铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道，
这是基于新旧技术更替的考虑，也是行业普遍现象。
（2021-2026年MLC NAND产能成长表现测算，图源：集邦咨询统计）
不止铠侠，此前三星、SK海力士和美光，也陆续宣布，MLC相关产品进入生命周期终结阶段，相关产线不再扩产。
据研究机构TrendForce集邦咨询调查，SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平，缺乏扩产动力。因此，
2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%，进一步加剧供需失衡。
一名存储行业从业者也对21世纪经济报道记者分析，产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下，根据生命周期管理需要，对落后制程产品做淘汰，是行业性正常的产品开发行为。同时，将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势。
在产能极为有限的背景下，MLC NAND这类“高龄”产品的价格反而开始大幅上扬。
CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者，消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止，三星车规级MLC明年一季度停止供应，使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈，8GB eMMC最高出现110美金的极端价格。
Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出，根据其月度存储追踪数据（Monthly Memory Tracker）显示，
MLC NAND价格同比上涨约300%。
以16Gb MLC NAND为例，价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元。
“这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市（EOL）所引发的供需失衡推动。”Jeongku Choi进一步指出，
当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快。
“从过去情况来看，EOL通常会在数年时间内逐步完成，但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成。同时，AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜，进一步加剧了MLC供应紧张。”
MLC NAND的终端需求主要来自工控、车用电子、医疗设备和网通等领域，这些应用对产品可靠度、写入寿命、长期供货承诺要求极为严格。其中，汽车行业首当其冲。
杨伊婷对21世纪经济报道记者指出，车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX、仪表、HUD、中低端座舱等领域。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低，基本不需要用到大容量UFS，够用即可。而车规级芯片和模块验证周期很长，且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年，汽车以年为单位与原厂谈年价和供应，对AI存储供需的及时变化并不敏感，此前一度低估了存储供应短缺的严重程度，以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心，
使得汽车在存储涨价缺货中受到的冲击最为明显。
”
国产补位，商用转移
面对MLC供应断层，部分具备承接能力的厂商已开始行动。
TrendForce集邦咨询表示，因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层，
长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏
，相对具备承接这项利基型需求的优势。旺宏已减少原有NOR Flash产能，以扩大MLC NAND Flash供应。
Jeongku Choi则对记者指出，当前2D NAND供给缺口较难完全填补。“国内厂商中，
长江存储（YMTC）具备相对最大的可用产能
，但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求，以抓住AI带来的结构性机会，
因此可用于缓解MLC短缺的空间有限。
”
当然按照常规，终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品，因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势。
杨伊婷对记者表示，除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外，国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口，同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用。
“
下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移
。”Jeongku Choi对记者指出，与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同，MLC NAND在性能上已被SLC超越，在成本效率上又被TLC和QLC取代，其竞争优势正在被双向压缩。
“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本，而随着上游MLC供应持续收紧，这一替代趋势预计将进一步加速。”但他也提到，由此带来的BOM成本上升，将压缩下游厂商利润，其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显。
集邦咨询也提到，长期来看，MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转，MLC产品价格仍可能间接承压。
从“大宗商品”到“利基奢侈品”，MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下，毅然将产能向HBM、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜，而曾经支撑汽车、工控、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品，则因单位产值低而被加速淘汰。
这一趋势短期内难以逆转，下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构。
对于国内存储厂商而言，能否在海外巨头退出的间隙中，以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任，并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口，将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。